ON Semiconductor NTJS3157NT1G MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

NTJS3157NT1G

MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363

Hissə nömrəsi

NTJS3157NT1G

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Təchizatçı Cihaz Paketi

SC-88/SC70-6/SOT-363

Gücün Dağılması (Maks.)

1W (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

3.2A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

500pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±8V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 26460 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

NTJS3151PT1G

MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363