Rohm Semiconductor ES6U1T2R MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

ES6U1T2R

MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6

Hissə nömrəsi

ES6U1T2R

İstehsalçı/Brend

Rohm Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SOT-563, SOT-666

Təchizatçı Cihaz Paketi

6-WEMT

Gücün Dağılması (Maks.)

700mW (Ta)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Schottky Diode (Isolated)

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

12V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

1.3A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

260 mOhm @ 1.3A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

2.4nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

290pF @ 6V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.5V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 23864 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

ES6U1T2R

MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6