Rohm Semiconductor ES6U3T2CR MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

ES6U3T2CR

MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6

Hissə nömrəsi

ES6U3T2CR

İstehsalçı/Brend

Rohm Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

SOT-563, SOT-666

Təchizatçı Cihaz Paketi

6-WEMT

Gücün Dağılması (Maks.)

700mW (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Schottky Diode (Isolated)

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

1.4A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

240 mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

1.4nC @ 5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

70pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 30144 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

ES6U1T2R

MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6