Rohm Semiconductor RDN100N20FU6 MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

RDN100N20FU6

MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

Hissə nömrəsi

RDN100N20FU6

İstehsalçı/Brend

Rohm Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Not For New Designs

Qablaşdırma

Bulk

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-220-3 Full Pack

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-220FN

Gücün Dağılması (Maks.)

35W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

200V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

10A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

360 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

30nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

543pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 45384 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

RDN100N20

MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN