Rohm Semiconductor RDN120N25FU6 MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

RDN120N25FU6

MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN

Hissə nömrəsi

RDN120N25FU6

İstehsalçı/Brend

Rohm Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Bulk

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-220-3 Full Pack

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-220FN

Gücün Dağılması (Maks.)

40W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

250V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

12A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

210 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

62nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1224pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 19427 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

RDN100N20

MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN