Rohm Semiconductor SCT2120AFC MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

SCT2120AFC

MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB

Hissə nömrəsi

SCT2120AFC

İstehsalçı/Brend

Rohm Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

SiCFET (Silicon Carbide)

İşləmə temperaturu

175°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-220-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-220AB

Gücün Dağılması (Maks.)

165W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

650V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

29A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

156 mOhm @ 10A, 18V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 3.3mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

61nC @ 18V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1200pF @ 500V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

18V

Vgs (Maks.)

+22V, -6V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 17400 PCS

Əlaqə məlumatı