Rohm Semiconductor SCT2280KEC MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

SCT2280KEC

MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

Hissə nömrəsi

SCT2280KEC

İstehsalçı/Brend

Rohm Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

SiCFET (Silicon Carbide)

İşləmə temperaturu

175°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-247-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-247

Gücün Dağılması (Maks.)

108W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

1200V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

14A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

364 mOhm @ 4A, 18V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 1.4mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

36nC @ 18V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

667pF @ 800V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

18V

Vgs (Maks.)

+22V, -6V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 17707 PCS

Əlaqə məlumatı