Rohm Semiconductor SCT2H12NYTB 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

SCT2H12NYTB

1700V 1.2 OHM 4A SIC FET

Hissə nömrəsi

SCT2H12NYTB

İstehsalçı/Brend

Rohm Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-268

Gücün Dağılması (Maks.)

44W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

1700V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

4A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

1.5 Ohm @ 1.1A, 18V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 410µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

14nC @ 18V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

184pF @ 800V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

18V

Vgs (Maks.)

+22V, -6V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 52290 PCS

Əlaqə məlumatı