Toshiba Semiconductor and Storage TK4R3E06PL,S1X X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

TK4R3E06PL,S1X

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Hissə nömrəsi

TK4R3E06PL,S1X

İstehsalçı/Brend

Toshiba Semiconductor and Storage

Serial

U-MOSIX-H

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

175°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-220-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-220

Gücün Dağılması (Maks.)

87W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

60V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

80A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

7.2 mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.5V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

48.2nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

3280pF @ 30V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 18779 PCS

Əlaqə məlumatı