Toshiba Semiconductor and Storage TK4R4P06PL,RQ MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

TK4R4P06PL,RQ

MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK

Hissə nömrəsi

TK4R4P06PL,RQ

İstehsalçı/Brend

Toshiba Semiconductor and Storage

Serial

U-MOSIX-H

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

175°C

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Təchizatçı Cihaz Paketi

DPAK

Gücün Dağılması (Maks.)

87W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

60V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

58A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

4.4 mOhm @ 29A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.5V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

48.2nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

3280pF @ 30V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 5213 PCS

Əlaqə məlumatı