Vishay Siliconix SIR800ADP-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V PPAK SO-8

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SIR800ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V PPAK SO-8

Hissə nömrəsi

SIR800ADP-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET® Gen IV

Hissə Vəziyyəti

Active

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

PowerPAK® SO-8

Təchizatçı Cihaz Paketi

PowerPAK® SO-8

Gücün Dağılması (Maks.)

5W (Ta), 62.5W (Tc)

FET növü

N-Channel

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

50.2A (Ta), 177A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

1.35 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

53nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

3415pF @ 10V

Vgs (Maks.)

+12V, -8V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

2.5V, 10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 50570 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SIR800ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V PPAK SO-8