Vishay Siliconix SIR802DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

SIR802DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Hissə nömrəsi

SIR802DP-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

PowerPAK® SO-8

Təchizatçı Cihaz Paketi

PowerPAK® SO-8

Gücün Dağılması (Maks.)

4.6W (Ta), 27.7W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

30A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

5 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

32nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1785pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

2.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±12V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 54034 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SIR800ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V PPAK SO-8