Vishay Siliconix SIZF906ADT-T1-GE3 MOSFET DUEL N-CHAN 30V

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

SIZF906ADT-T1-GE3

MOSFET DUEL N-CHAN 30V

Hissə nömrəsi

SIZF906ADT-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET® Gen IV

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerWDFN

Güc - Maks

4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-PowerPair® (6x5)

FET növü

2 N-Channel (Dual), Schottky

FET Xüsusiyyəti

Standard

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

49nC @ 10V, 200nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 8138 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SIZF300DT-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3