Vishay Siliconix SIZF916DT-T1-GE3 MOSFET N-CH DUAL 30V

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

SIZF916DT-T1-GE3

MOSFET N-CH DUAL 30V

Hissə nömrəsi

SIZF916DT-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET® Gen IV

Hissə Vəziyyəti

Active

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerWDFN

Güc - Maks

3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-PowerPair® (6x5)

FET növü

2 N-Channel (Dual)

FET Xüsusiyyəti

Standard

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

23A (Ta), 40A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

22nC @ 10V, 95nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 47024 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SIZF300DT-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3